电讯技术

作者：刘智卿,孙建鹏

单位：(1.西南电子技术研究所，成都 610036;2.电子科技大学 电子科学与工程学院，成都 611731)

关键词：多通道收发前端；Ka波段；硅基衰减器；PVT波动校正；自匹配反馈环路；

基于65 nm 互补金属氧化物半导体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,CMOS)工艺设计了一款应用于Ka波段多通道收发前端的温补衰减器，以补偿环境温度变化引起的系统链路增益漂移。该温补衰减器无需传统的片上温度传感器，能够有效降低系统实现复杂度的同时减小芯片面积。仅利用了收发系统芯片中内置的带隙基准电流獻㏄TAT，该电流大小具有正比于绝对温度（Proportional to Absolute Temperature,PTAT）的特性。通过将此电流转换为特定控制电压，使得最终衰减幅度与温度呈高度线性关系。为了最大限度地减少由工艺、电压、温度（Process,Voltage,and Temperature,PVT）引起的补偿误差，该转换部分还集成了用于PVT波动校正的调谐电路。此外，为了保证全温状态下的宽带端口匹配特性，该衰减器构建了一个新型自匹配反馈环路。通过引入运算放大器产生反馈电压至衰减单元，使端口阻抗自动匹配到50 Ω，实现了直流到40 GHz频率范围内小于-15 dB的低回波损耗。经仿真验证，该衰减器在Ka波段-55 ℃~85 ℃温度范围内可实现8 dB的增益补偿，衰减量随温度变化非线性小于6%，芯片尺寸为130 μm×230 μm。

来源：2025年第10期

《电讯技术》期刊编辑部

查看电讯技术杂志2025年第10期