电讯技术

作者：胡顺勇

单位：(中国西南电子技术研究所，成都 610036)

关键词：功率合成放大器；V频段；混合魔T结构；

介绍了一种基于混合波导魔T的V频段宽带高效率功率合成放大器。采用混合波导魔T结构和超宽带扇形开路薄膜电阻，设计了一款覆盖整个V频段的新型小型化高隔离二路功分器，实测在50~75 GHz频率范围内，平均电路损耗0.2 dB，输入回波小于-20 dB，隔离和输出回波小于-14 dB。基于该电路结构，采用V频段宽带GaN功放芯片，研制了一种3.5 W功率模块，以该功率模块为基本单元，并采用16路高效率功率分配/合成网络，研制出一款V频段宽带高效率功率合成放大器。实测在50～75 GHz的V频段全频段范围内，连续波饱和输出功率大于47 dBm，小信号增益大于46 dB，合成效率全频带内大于82%，在全频段实现了高效率合成和大功率输出。该电路结构紧凑，工作频带宽，合成效率高且便于散热，具有很好的工程应用价值。

来源：2024年第7期

《电讯技术》期刊编辑部

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